tabel persamaan transistor lengkap

Transistor adalah komponen elektronik aktif yang sering digunakan dalam rangkaian elektronik. Transistor adalah semikonduktor yang mampu mengontrol aliran arus listrik. Ada tiga jenis transistor yang umum digunakan, yaitu transistor bipolar, transistor MOSFET, dan transistor JFET.

Berikut adalah tabel persamaan transistor lengkap untuk setiap jenis transistor:

Transistor Bipolar

Transistor bipolar terdiri dari dua tipe, yaitu transistor NPN dan transistor PNP. Berikut adalah persamaan transistor bipolar:

a. Transistor NPN

Ic = β x Ib

Vbe = 0.7V (untuk silikon)

Vce = Vcc - Ic x Rc

b. Transistor PNP

Ic = β x Ib

Veb = 0.7V (untuk silikon)

Vce = Vcc + Ic x Rc

Keterangan:

Ic : arus kolektor

Ib : arus basis

β : gain transistor

Vbe : tegangan basis-emitor

Vce : tegangan kolektor-emitor

Vcc : tegangan catu daya

Rc : resistor kolektor

Transistor MOSFET

Transistor MOSFET terdiri dari dua tipe, yaitu transistor MOSFET enhancement dan transistor MOSFET depletion. Berikut adalah persamaan transistor MOSFET:

a. Transistor MOSFET Enhancement

Id = 0 (jika Vgs < Vt)

Id = k[(Vgs - Vt)Vds - 0.5Vds^2](jika Vgs > Vt)

b. Transistor MOSFET Depletion

Id = k[(Vgs - Vp)Vds - 0.5Vds^2]

Keterangan:

Id : arus drain

Vgs : tegangan gate-sumber

Vt : tegangan ambang

k : konstanta proporsionalitas

Vds : tegangan drain-sumber

Vp : tegangan pintu

Transistor JFET

Transistor JFET hanya memiliki satu tipe. Berikut adalah persamaan transistor JFET:

Idss = arus drain saat Vgs = 0

Id = Idss(1 - Vgs/Vp)^2

Keterangan:

Idss : arus drain pada Vgs = 0

Vgs : tegangan gate-sumber

Vp : tegangan pinch-off

Itulah tabel persamaan transistor lengkap untuk setiap jenis transistor. Dengan memahami persamaan transistor, kita dapat merancang rangkaian elektronik yang lebih baik dan lebih efektif. Namun, sebaiknya melakukan perhitungan ulang untuk memastikan keakuratan perhitungan.

Selain persamaan transistor, terdapat juga parameter penting lainnya yang perlu dipahami dalam menggunakan transistor, yaitu hfe (beta), Vce (sat), Vbe (sat), dan ft.

hfe (beta)

hfe atau beta adalah parameter yang menunjukkan rasio antara arus kolektor dan arus basis pada transistor bipolar. Nilai hfe biasanya tertera pada datasheet transistor. Semakin besar nilai hfe, semakin besar penguatan sinyal yang bisa dilakukan oleh transistor tersebut.

Vce (sat)

Vce (sat) adalah tegangan jatuh kolektor-emitor pada saat transistor dalam keadaan jenuh. Nilai Vce (sat) penting dalam perhitungan daya yang disipasikan oleh transistor, karena semakin besar nilai Vce (sat), semakin besar daya yang hilang dalam transistor.

Vbe (sat)

Vbe (sat) adalah tegangan jatuh basis-emitor pada saat transistor dalam keadaan jenuh. Nilai Vbe (sat) penting dalam perhitungan arus basis yang dibutuhkan oleh transistor.

ft

ft adalah parameter frekuensi maksimum di mana transistor masih dapat bekerja secara efektif sebagai penguat. Semakin tinggi nilai ft, semakin baik transistor dalam merespon sinyal frekuensi tinggi.

Selain itu, terdapat juga beberapa jenis transistor khusus seperti transistor Darlington, transistor Schottky, dan transistor IGBT yang memiliki persamaan dan parameter yang berbeda.

Dalam merancang rangkaian elektronik dengan menggunakan transistor, sebaiknya kita memilih transistor yang sesuai dengan kebutuhan dan memperhitungkan parameter-parameter yang dibutuhkan dalam rangkaian tersebut. Dengan begitu, kita dapat mengoptimalkan kinerja transistor dan menghasilkan rangkaian elektronik yang efektif dan efisien.